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(g)7/9-AGNR超晶格的键合分辨STM图像，怨自于选个业其显示了异质结界面的键合结构。图三、己收7/9-AGNR超晶格终态的电子结构(a)最常见的7/9-AGNR超晶格终端的键合分辨STM图像。

不同类型的GNR前体沿着纵轴融合为I型和II型异质结设计和合成的基础，质上择的赚钱当异质结界面交叉时，GNR电子结构会从一种GNR类型连续变化到另一种GNR型。【成果简介】近日，人抱入低美国加州大学伯克利分校的StevenG.Louie教授、人抱入低MichaelF.Crommie教授和FelixR.Fischer教授（共通通讯作者）在国际著名期刊Nature发表了一篇题为Topologicalbandengineeringofgraphemenanoribbons的研究性文章。虽然该领域的研究大多数集中在二维或三维拓扑绝缘体和相关拓扑晶态绝缘体上，怨自于选个业但最近理论研究已经预测石墨烯纳米带（GNRs）中存在一维对称保护拓扑相。

【小结】在该文中，己收研究人员已经证明通过精心设计用于自下而上合成中使用的分子前体，己收可以合理地设计局部和全局GNR电子拓扑学，此外，这种方法还能用于在GNR体内以及GNR/真空终止区域中设计拓扑界面态。(b)图a中A、质上择的赚钱B、C和D峰对应电压下获得的恒定电流dI/dV图。

(c)利用图d中7/9-AGNR超晶格VB、人抱入低OTB、UTB和CB能量，通过DFT计算得到的LDOS图。

实验结果和第一性原理计算表明，怨自于选个业该GNR超晶格的边界能带结构（满带和空带）完全由相邻拓扑界面态之间的耦合所定义，怨自于选个业这种非凡的一维拓扑相为基​​于电子拓扑学一维材料的能带精确调控提供了一种途径，同时其也是一种有前景的一维量子自旋物理学研究平台。在交互体验方面，己收当贝PadGO的表现也让人颇为惊喜。

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